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LED芯片發展趨勢:小間距LED顯示屏屏帶動產能擴張

2018-09-03
  2015年我國LED芯片市場規模為95億元人民幣,同比增長10.21%;2016年我國LED芯片市場規模超過145億元人民幣,同比增長11.54%;預計到2020年我國LED芯片產能占全球的比例超過54%。以下是led芯片發展趨勢分析。

led芯片被稱為led發光芯片,是led燈的核心組件,也就是指的P-N結。其主要功能是:把電能轉化為光能,芯片的主要材料為單晶硅。半導體晶片由兩部分組成,一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候,它們之間就形成一個P-N結。當電流通過導線作用于這個晶片的時候,電子就會被推向P區,在P區里電子跟空穴復合,然后就會以光子的形式發出能量,這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N結的材料決定的。

2017年中國LED芯片(不包括臺灣,下同)行業產值規模達到188億元,較2016年增長29.7%,占全球LED芯片產值比例達到40%;中國MOCVD保有量超過1600臺,全年凈增加246臺,LED芯片產能占全球的比例超過54%。

小間距顯示屏帶動各廠產能擴張需求

中國LED協會分析,由于小間距顯示屏的崛起,使得顯示屏LED依然保持增長態勢,預計顯示屏LED市場規模于2020年將可到達158億人民幣。小間距顯示屏LED封裝領域,早期以億光為主,目前許多中國廠商已經進入該領域,包括國星光電、木林森和晶臺光電等,也帶動各廠的產能擴張需求。同時,四元LED產能需求也因此提升,根據中國LED協會分析與統計,三安光電、武漢華燦、乾照光電與晶元光電于2017年皆有四元LED產能擴張需求。

芯片技術和芯片封裝技術快速擴張

芯片技術發展的關鍵是襯底材料的選擇和外延片的生長技術。技術提升的關鍵都是圍繞著降低缺陷密度和如何研發出更高效穩定的器件進行的,而如何提升LED 芯片的發光效率則是目前整體技術指標的最重要衡量標準。傳統的襯底材料有藍寶石、Si、SiC,目前比較熱門的材料有ZnO、GaN 等。制造外延片的主流方法是采用金屬有機物化學氣相沉積。據2011 年LED 環球在線報道,美國北卡羅來納州大學提出了一種新的氮化鎵生長工藝,這一新工藝有望把材料的缺陷減低千分之一,從而制造出更高亮度的LED發光二級管。

國際廠商釋放照明LED代工訂單

由于中低功率LED席卷LED照明市場,因此越來越多的國際品牌大廠,包含Lumileds、OSRAM、CREE、Samsung、LGInnotek等將代工訂單逐漸往中國集中,使得中國一線大廠的產能利用率維持高檔。前五大中國照明LED廠商依次為木林森、鴻利光電、天電光電、瑞豐光電、兆馳節能等。

我國LED產業由封裝起步發展,初期芯片主要依賴進口。近年來,在下游旺盛需求的拉動及各地政策的支持下,國內主要LED芯片企業加大研發投入,積極制定擴產計劃,芯片環節的投資力度不斷提升,使得國內LED芯片行業加速發展。2014年我國芯片國產化率即已達到80%,隨著國內芯片企業技術的快速進步,目前芯片已基本實現全部國產化,并已有部分行業領先企業開始向國際市場出口LED片或芯片產品。

結語:未來,我國LED芯片行業市場競爭將越來越大,消費者追求多樣化、綠色化。LED芯片將應用在更多的領域,比如顯示屏、計算機、工業等。LED芯片行業將迎來二次發展。
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