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法國Leti開發基于CMOS的Micro LED顯示屏生產新工藝

2019-05-19    新聞來源:LEDinside
 據報道,法國研究機構Leti of CEA Tech研發出一個生產高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現有方法,這項新工藝更簡單且更高效。

新工藝的第一步是將Micro LED芯片直接轉移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅動電路和Micro LED芯片組成的每個完整像素點轉移到顯示基板上。

研究員指出,CMOS驅動器具備高性能,可以制造更多種類的Micro LED顯示屏,從小尺寸可穿戴顯示器到大尺寸電視面板都能實現。

據稱,單個LED-CMOS單元是通過全半導體和晶圓級方法制造的,最終制成的顯示器不需要使用TFT(薄膜晶體管),這也是新工藝技術的另一個優點。

目前,如何提高驅動電子的性能是制造Micro LED的一個挑戰,這需要更多功率來實現更加明亮的圖像,以及更快的速度來應對不斷增長的高顯示分辨率需求。

CEA-Leti研發的新工藝能夠通過簡化的轉移工藝來制造基于CMOS的高性能氮化鎵Micro LED顯示器,無需TFT背板。RGB Micro LED直接堆疊在微CMOS電路上,然后每個單元被轉移至簡單的接收基板上。最后,在單個半導體線上完成RGB Micro LED和背板的制造。

CEA-Leti光學器件戰略營銷經理Fran?ois Templier表示,這項基于CMOS的工藝能夠生產出更高亮度和更高分辨率的Micro LED顯示器,可改變大型電視制造領域的“游戲規則”。

據悉,5月14日,CEA-Leti在2019顯示周上展示了這項突破性技術。

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